报告人简介：

  金智，博士，研究员，中国科学院微电子研究所，高频高压器件与集成研发中心主任。1999年毕业于吉林大学电子工程系，并获得博士学位。1999年-2002年在日本北海道大学集成量子电子学研究中心作博士后研究工作，主要从事III-V族和GaN基器件的工艺研究；2002年-2006年在德国Duisburg-Essen大学固态电子学系以及日本东京电气通信大学进行GaAs和InP基异质结双极晶体管的研究。2006年在中国科学院微电子研究所任研究员，并入选中国科学院百人计划。研究包括III-V族半导体微波器件与单片集成电路以及石墨烯基器件和电路。发表论文100余篇。

摘要：

  以GaAs、InP和GaN为代表的化合物半导体具有优异的材料特性，在毫米波和太赫兹器件和集成电路中得到了广泛的研究和应用。报告介绍了化合物半导体的应用背景，国际上GaN微波功率器件和功率微波单片集成电路（MMIC）的研究现状和未来发展，InP基毫米波/太赫兹器件和MMIC/太赫兹单片集成电路（TMIC）的研究现状。结合微电子所的化合物半导体的研究，介绍了化合物半导体器件和MMIC/ TMIC的关键工艺和设计流程，展示了取得的一些结果。

主  持 人：孙洪波 教授

报告时间：2017年10月27日 8:30

报告地点：唐敖庆楼D314报告厅

主办单位：电子科学与工程学院

                 集成光电子学国家重点联合实验室

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