报告人简介：

孙钱，中国科技大学材料物理学士、美国耶鲁大学博士，国家技术发明一等奖获得者，国家优秀青年基金获得者。现任中科院苏州纳米所研究员、博导、器件部副主任。长期致力于硅基III族氮化物半导体材料生长与光电子及功率电子器件制备研究。通过与晶能光电有限公司的产学研实质性合作，带领团队研发出硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片技术，并在全球率先产业化，年销售逾3亿元。2016年成功研制了国际上首支硅衬底GaN基激光器，并发表在Nature Photonics。近5年来主持承担了国家重点研发计划课题、863计划课题、中科院前沿科学重点研究项目、江苏省科技成果转化专项等。应邀在国际氮化物半导体学术会议ICNS、APWS、ISSLED、Photonics West、ICMOVPE、Semicon Taiwan、Semicon China等国际学术会议和产业论坛上作特邀报告。

报告摘要：

宽禁带半导体III族氮化物材料具有直接带隙且连续可调等优点，在可见光及紫外LED与激光器等光电子器件领域有着广泛的应用前景。在大尺寸、低成本硅衬底上外延生长制备氮化镓（GaN）基光电子器件不仅有望大幅降低制造成本，还能开发出我国有自主知识产权的核心技术，为相关产业的健康发展提供支撑。本报告将首先阐述在硅衬底上外延生长高质量GaN材料的关键科学技术问题与解决方案，然后介绍硅基GaN蓝白光/近紫外大功率LED的研发及产业化，最后讨论硅基GaN激光器方面的研究进展。

主  持 人：张源涛 教授

报告时间：2017年12月4日 9:30

报告地点：唐敖庆楼D311会议室

主办单位：电子科学与工程学院

                 集成光电子学国家重点实验室   

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