报告人简介：

  徐家跃，教授，博士生导师。1965年出生，1988年毕业于吉林大学半导体化学专业，现任上海应用技术大学学术委员会主任、材料学院院长。曾任中国科学院上海硅酸盐研究所晶体中心副主任、研究员，2010年入选上海市优秀学科带头人。出版有《坩埚下降法晶体生长》、《新型弛豫铁电晶体》等专著5部，在Nano Lett., Small, Adv. Opt. Mater.等刊物上发表论文200余篇，授权发明专利40余项。曾获国家技术发明二等奖1项、省部级成果奖2项以及上海市教学成果奖2项。《无机材料学报》、《硅酸盐学报》、《人工晶体学报》等刊物编委，《应用技术学报》主编。

摘要：

  坩埚下降法是一种重要的晶体生长方法，特别在大尺寸晶体生长与产业化方面具有独特优势，近年来在新材料探索方面也受到越来越多的关注。基于坩埚下降法的技术特点，报告重点介绍我们在压电晶体、闪烁晶体、半导体晶体及新材料探索方面的研究结果。

主  持 人：张宝林 教授

报告时间：2018年09月10日 13:30

报告地点：唐敖庆楼D314报告厅

主办单位：电子科学与工程学院

                 集成光电子学国家重点实验室

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